BLF6G27-45,112

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

BLF6G27-45,112 datasheet


  • Маркировка
    BLF6G27-45,112
  • Производитель
    NXP Semiconductors
  • Описание
    NXP Semiconductors BLF6G27-45,112 Configuration: Single Continuous Drain Current: 20 A Current - Test: 350mA Current Rating: 20A Drain-source Breakdown Voltage: 65 V Frequency: 2.7GHz Gain: 18dB Gate-source Breakdown Voltage: - 0.5 V, 13 V ID_COMPONENTS: 3737833 Maximum Operating Temperature: + 225 C Minimum Operating Temperature: - 65 C Mounting Style: SMD/SMT Noise Figure: - Package / Case: SOT-608A Power - Output: 7W Resistance Drain-source Rds (on): 0.385 Ohms Series: - Transistor Polarity: N-Channel Transistor Type: LDMOS Voltage - Rated: 65V Voltage - Test: 28V Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Gate-Source Breakdown Voltage: - 0.5 V, 13 V Product Type: MOSFET Power Resistance Drain-Source RDS (on): 0.385 Ohms Factory Pack Quantity: 20 Part # Aliases: BLF6G27-45 Other Names: 934060908112, BLF6G27-45
  • Количество страниц
    16 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet BLF6G27-45,112.pdf
Файл формата Pdf 127,47 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.